VTC-600-2HD雙靶磁控濺射儀
產(chǎn)品簡介： VTC-600-2HD 雙靶磁控濺射儀是我公司自主新研制開發(fā)的一款高真空鍍膜設(shè)備，可用于制備單 層或多層鐵電薄膜、導電薄膜、合金薄膜、半導體薄膜、陶瓷薄膜、介質(zhì)薄膜、光學薄膜、氧化物薄膜、硬質(zhì)薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。VTC-600-2HD 雙靶磁控濺射儀配備有兩個靶槍，一個弱磁靶用于非導電材料的濺射鍍膜，一個強磁靶用于鐵磁性材料的濺射鍍膜。與同類設(shè)備相比，且具有體積小便于操作的優(yōu)點，且可使用的材料范圍廣，是一款實驗室制備各類材料薄膜的理想設(shè)備。
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產(chǎn)品型號 |
VTC-600-2HD 雙靶磁控濺射儀 |
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產(chǎn)品型號 |
VTC-600-2HD |
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安裝條件 |
本設(shè)備要求在海拔 1000m 以下， 溫度 25℃±15℃ ，濕度 55%Rh±10%Rh 下使用。
1、水：設(shè)備配有自循環(huán)冷卻水機（加注純凈水或者去離子水） 2、電： AC220V 50Hz，必須有良好接地 3、氣：設(shè)備腔室內(nèi)需充注氬氣（純度 99.99%以上），需自備氬氣氣瓶（自帶 Ø6mm 雙 卡套接頭）及減壓閥 4、工作臺： 尺寸 1500mm×600mm×700mm ，承重 200kg 以上 5、通風裝置：需要 |
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主要特點 |
1 、配置兩個靶槍，一個配套射頻電源用于非導電靶材的濺射鍍膜，一個配套直流電源用于導 電性材料的濺射鍍膜。 |
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2、可制備多種薄膜，應(yīng)用廣泛。 3、體積小，操作簡便。 |
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技術(shù)參數(shù) |
1、電源電壓： 220V 50Hz 2、功率： <2KW （不含真空泵） 3、極限真空度： 9.0×10-4Pa 4、樣品臺加熱溫度： RT-500℃，精度±1℃（可根據(jù)實際需要提升溫度） 5、靶槍數(shù)量： 2 個（可選配其他數(shù)量） 6、靶槍冷卻方式：水冷 7、靶材尺寸： Ø2″， 厚度 0.1-5mm （因靶材材質(zhì)不同厚度有所不同） |
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8 、直流濺射功率： 500W；射頻濺射功率： 300W。（靶電源種類可選，可選擇兩個直流電源， 也可選擇兩個射頻電源，或選則一個直流一個射頻電源） 9、載樣臺： Ø140mm 10、載樣臺轉(zhuǎn)速： 1rpm-20rpm 內(nèi)可調(diào) 11、工作氣體： Ar 等惰性氣體 12、進氣氣路： 質(zhì)量流量計控制 2 路進氣，一路為 100SCCM ，另一路 為 200SCCM。 |
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產(chǎn)品規(guī)格 |
1 、主機尺寸： 500mm ×560mm×660mm 2 、整機尺寸： 1300mm ×660mm×1200mm 3、重量： 160kg 4、真空室規(guī)格：φ 300×300mm |
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標準配件 |
1 |
直流電源控制系統(tǒng) |
1 套 |
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2 |
射頻電源控制系統(tǒng) |
1 套 |
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3 |
膜厚監(jiān)測儀系統(tǒng) |
1 套 |
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4 |
分子泵（德國進口） |
1 臺 |
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5 |
冷水機 |
1 臺 |
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6 |
冷卻水管（Ø6mm） |
4 根 |
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可選配件 |
金、銦、銀、白金等各種靶材 |
直流濺射,又稱陰極濺射或二極濺射
濺射條件： 工作氣壓 10pa 左右， 濺射電壓 3000V ，靶電流密度 0.5mA/cm2,薄膜沉積速率低于 0.1
m/min。
工作原理： 先讓惰性氣體（通常為 Ar 氣） 產(chǎn)生輝光放電現(xiàn)象產(chǎn)生帶電的離子； 帶電離子緊電場加速撞擊靶 材表面， 使靶材原子被轟擊而飛出來， 同時產(chǎn)生二次電子， 再次撞擊氣體原子從而形成更多的帶電離子； 靶材原子攜帶著足夠的動能到達被鍍物（襯底） 的表面進行沉積。隨著氣壓的變化， 濺射法薄膜沉積速率 將出現(xiàn)一個極大值， 但氣壓很低的條件下， 電子的自由程較長， 電子在陰極上消失的幾率較大， 通過碰撞 過程引起氣體分子電離的幾率較低， 離子在陽極上濺射的同時發(fā)射出二次電子的幾率又由于氣壓較低而相 對較小， 這些均導致低氣壓條件下濺射的速率很低。 在壓力 1Pa 時甚至不易維持自持放電！ 隨著氣壓的升 高，電子的平均自由程減小，原子的電離幾率增加，濺射電流增加，濺射速率增加。
適宜濺射靶材種類為不易氧化的輕金屬,如 Au,Ag,Pt等
射頻濺射是利用射頻放電等離子體中的正離子轟擊靶材、濺射出靶材原子從而沉積在接地的基板表面的技 術(shù)。
工作條件： 射頻濺射可以在 1Pa 左右的低壓下進行， 濺射電壓 1000V ，靶電流密度 1.0 mA/cm2，薄膜沉積 速率 0.5
m/min。
工作原理： 人們將直流電源換成交流電源。由于交流電源的正負性發(fā)生周期交替，當濺射靶處于正半周時， 電子流向靶面， 中和其表面積累的正電荷， 并且積累電子， 使其表面呈現(xiàn)負偏壓， 導致在射頻電壓的負半 周期時吸引正離子轟擊靶材， 從而實現(xiàn)濺射。由于離子比電子質(zhì)量大， 遷移率小， 不像電子那樣很快地向 靶表面集中， 所以靶表面的點位上升緩慢， 由于在靶上會形成負偏壓， 所以射頻濺射裝置也可以濺射導體 靶。在射頻濺射裝置中， 等離子體中的電子容易在射頻場中吸收能量并在電場內(nèi)振蕩， 因此， 電子與工作氣體分子碰撞并使之電離產(chǎn)生離子的概率變大，故使得擊穿電壓、放電電壓及工作氣壓顯著降低。
優(yōu)點：
1、可在低氣壓下進行，濺射速率高。
2、不僅可濺射金屬靶，也可濺射絕緣靶，可以把導體，半導體，絕緣體中的任意材料薄膜化。
3、必須十分注意接地問題。
適宜濺射的靶材種類為各種類型的固體靶材,金屬,半導體,絕緣體靶材均可濺射,尤為適用于易產(chǎn)生氧化絕緣
層的靶材.如 Al,Ti,Mg 等金屬以及 TiQ2,ZnO 等氧化物靶材.
